Dark silicon cuya traducción literal al español seria Silicio oscuro es un término empleado en microelectrónica para hacer referencia al número de transistores que han de permanecer apagados dentro de un chip para evitar que el sobrecalentamiento del mismo lo dañe.
Se estima que actualmente con la tecnología actual de 16 nanómetros aproximadamente una cuarta parte de los transistores han de permanecer apagados, pero en las siguientes generaciones el problema se agravara necesitando estar apagados del 50 a 80
de los transistores con la generación de 8 nanómetros.
Este problema resta potencia de cálculo a la ley de Moore gracias a la cual se lleva reduciendo la tecnología de fabricación de transistores en un 30 aproximadamente cada 18 meses lo que en la práctica ha permitido duplicar el número de transistores insertados en un espacio dado cada 18 meses.
Sin tener en cuenta al denominado dark silicon la ley de moore permite aumentar por dos el número de transistores en cada nueva generación pero debido a la necesidad de tener apagados parte de los mismo el aumento de potencia se ve reducido a la raíz cuadrada de 2 en lugar de simplemente 2 como cabria pensar.
